随着全球逐步摆脱化石能源和传统硅基技术，氮化镓（GaN）技术在打造更清洁、更高效、更可持续的能源体系方面正发挥着日益关键的作用。该材料应用范围广泛，包括可再生能源系统、数据中心、工业自动化和电动汽车领域。美国企业Wolfspeed（原为科锐Cree）是本土领先的宽禁带半导体制造商，宽禁带半导体材料具有较大能隙、可适配高温、高压和高频工况。Wolfspeed专注于碳化硅（SiC）材料、GaN基晶体管以及SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及功率模块，旗下部分产品还用于军事通信、雷达、卫星和电信领域。
Wolfspeed在2026年7月7日发布公告，已在美国特拉华州联邦地区法院对竞争对手、同为GaN生产商的Navitas Semiconductor提起专利侵权诉讼，指控其侵犯了Wolfspeed五项晶体管及GaN相关专利。
Navitas于2026年7月8日发布公告作出回应，表示“不认可”这些指控，并将“积极捍卫自身及其产品，以应对毫无根据的侵权指控”。Navitas进一步表示，预计将在本次诉讼中“获胜”。同时表示，其对Wolfspeed提起的无端诉讼感到“失望”，认为这是企图“获得其无法通过健康竞争取得的优势”。Wolfspeed指控侵权的产品包括Navitas的GaN基场效应晶体管（FET）：GaNFast®、GaNSlim™和GaNSafe®产品系列。Wolfspeed还声称Navitas的GeneSiC™ MOSFET和SiCPAK®模块也侵犯了涉案专利。
本次纠纷只是GaN赛道层出不穷的专利诉讼之一，目前行业内最受关注的跨国专利对抗发生在德国英飞凌与中国英诺赛科之间。英飞凌在美国国际贸易委员会（ITC）、加利福尼亚北区联邦地区法院和慕尼黑第一地区法院起诉了英诺赛科，而英诺赛科则在苏州市中级人民法院反诉了英飞凌。英飞凌在美国和德国均取得了相当不错的成果，而英诺赛科则在中国获得了禁令，并在亚洲大型电子行业展会上扣押了英飞凌的产品。此外，英诺赛科目前还在ITC应诉竞争对手宜普电源转换公司（EPC）提出的专利侵权指控。
美国专利8,169,005（“高压GaN晶体管”）
美国专利10,998,418（“具有回流金属间介电层的功率半导体器件”）
美国专利10,886,396（“具有深凹槽P+结的晶体管结构及其制造方法”）
美国专利10,749,443（“用于功率器件并联的低电感、快开关高功率多层模块”）
美国专利11,888,392（“高速高效SiC功率模块”）
起诉书指出，Navitas事先已知晓这些专利（目前均有效且已授权），因为Wolfspeed的律师已于今年4月就上述专利侵权事宜致函Navitas的律师。不到两周后，Navitas作出回应，确认收到该律师函及其中所含指控内容。
Wolfspeed首席执行官Robert Feurle在一份声明中表示，公司尊重他人的知识产权，并期望自身知识产权得到同样的尊重。他补充道：“保护我们的专利组合是公司及股东的一项战略优先事项。此次诉讼彰显了我们致力于维护自身合法权益、持续投入下一代SiC与GaN技术研发的坚定决心。”
